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深圳市第三代半導(dǎo)體在哪里,在第三代氮化鎵芯片時代

來源:整理 時間:2022-07-15 13:45:53 編輯:山東頭條 手機(jī)版

實際上,氮化鎵具有更好的導(dǎo)電性GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。

1、深圳坪山新區(qū)的未來在哪里

深圳坪山新區(qū)的未來在哪里

坪山,無疑是深圳最后一塊“肥肉”!從目前來看,坪山發(fā)展還不成熟,剛剛從坪山新區(qū)升級為坪山區(qū),人口不足50萬,GDP總量為690億,與老大哥南山、二哥福田、三哥龍崗相比,相差甚遠(yuǎn)!但是為什么說坪山是深圳最后一塊肥肉呢?1:深圳東進(jìn)深圳東進(jìn)不是一句玩笑話,很多人看來,深圳東部是一個“坑”,因為偏離主城區(qū),但是龍崗即將成為深圳的城市副中心,對標(biāo)北京的通州,深港國際中心,這個項目就坐落在深圳東部中心的大運(yùn)新城,規(guī)劃高度將在700米,投資金額超過500億,目前已經(jīng)啟動。

而坪山區(qū),未來也規(guī)劃了多座高樓大廈,以及在建的地鐵14號線、16號線,深惠地鐵、深惠城際鐵路,以及規(guī)劃中的深汕高鐵,都將經(jīng)過坪山,坪山的交通將在未來五年,進(jìn)入一個高速發(fā)展期。地鐵、城鐵、高鐵的通達(dá),使得未來的坪山與深圳中心城區(qū)的時空距離更加近,2:坪山是深圳連接深汕特別合作區(qū)的中心點如果是五年前,坪山確實不被人看好,但是如今深汕特別合作區(qū)已經(jīng)納入深圳管轄,接下來深圳將有高鐵連接坪山-深汕特別合作區(qū)。

除了14號線和16號線連接坪山,未來19號線,21號線,也將連接坪山和坪山高新區(qū),當(dāng)然最值得期待的還是350公里時速的深圳-坪山-深汕特別合作區(qū)的高鐵。一旦建成,那么坪山可以實現(xiàn)20分鐘達(dá)到深圳中心區(qū),15分鐘達(dá)到深汕特別合作區(qū),看來,這次深圳的東進(jìn),絕不是開玩笑了。3:坪山中心區(qū)擴(kuò)容坪山中心區(qū)擴(kuò)容的方案已經(jīng)獲批,從原來的4.68平方公里擴(kuò)容到24.08公里,

2、在第三代氮化鎵芯片時代,中國可以后來者居上嗎?

好多小伙伴都沒有聽說過氮化鎵,更不用說氮化鎵芯片了。而且,氮化鎵是第三代芯片,是不是覺得不可思議呢?那么,芯片經(jīng)歷的三代芯片是什么呢?第一代,硅芯片第二代砷化鎵芯片第三代氮化鎵芯片這三代芯片,本文為大家科普一下,讓大家有個大致的了解,一.硅芯片硅芯片是大家極為熟悉的芯片了。我們以前使用的電腦,手機(jī)的芯片絕大多數(shù)都是硅芯片,

不過,硅芯片雖然使用得較為廣泛。但是,它的極限大約是5納米級別,如果想容納更多的元器件在有限的空間內(nèi),硅芯片似乎走到了極致,我們不得不說,硅芯片對人類的巨大貢獻(xiàn),是它開辟了微電腦時代,智能手機(jī)時代。那么是不是硅芯片就做不了7納米以下的芯片了呢?現(xiàn)在給出定論還為時過早,二.砷化鎵芯片砷化鎵屬于人造半導(dǎo)體材料,并且,砷化鎵是原子晶體。

這樣,它具有良好的半導(dǎo)體性能外,砷化鎵可作半導(dǎo)體材料,性能比硅更優(yōu)良,據(jù)報道砷化鎵像硅一樣容易使用,芯片運(yùn)算的速度至少是硅片的2至3倍。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,三.氮化鎵芯片氮化鎵芯片,小米首先應(yīng)用在快充上了。實際上,氮化鎵具有更好的導(dǎo)電性GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,

它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。氮化鎵現(xiàn)在備受關(guān)注,據(jù)報道,小米發(fā)布GaN快充氮化鎵GaN站上風(fēng)口,化鎵用于器件設(shè)計與制造,主要應(yīng)用于芯片,包括LED芯片、射頻芯片、激光芯片與功率器件等。

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