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單片機(jī)參考文獻(xiàn),求單片機(jī)參考文獻(xiàn)

來源:整理 時間:2023-05-01 10:09:45 編輯:好學(xué)習(xí) 手機(jī)版

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肖洪兵. 跟我學(xué)用單片機(jī). 北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2002.8 何立民. 單片機(jī)高級教程. 第1版.北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2001 趙曉安. MCS-51單片機(jī)原理及應(yīng)用. 天津:天津大學(xué)出版社,2001.3 李廣第. 單片機(jī)基礎(chǔ). 第1版.北京:北京航空航天大學(xué)出版社,1999 徐惠民、安德寧. 單片微型計算機(jī)原理接口與應(yīng)用. 第1版. 北京:北京郵電大學(xué)出版社,1996 何立民.從Cygnal 80C51F看8位單片機(jī)發(fā)展之路. 單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用,2002年,第5期:P5~8 夏繼強(qiáng). 單片機(jī)實(shí)驗與實(shí)踐教程. 北京:北京航空航天大學(xué)出版社, 2001 陳志強(qiáng) 胡輝. 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計實(shí)踐指南. 自編教材 肖洪兵. 單片機(jī)應(yīng)用技術(shù). 自編教材 肖洪兵 高茂科. CAI課件 自主開發(fā)

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[3] AT89C51 DATA SHEEP Philips Semiconductors 1999.dec [4]Yang. Y., Yi. J., Woo, Y.Y., and Kim. B.: Optimum design for linearityand efficiency of microwave Doherty amplifier using a new loadmatching technique, Microw. J., 2001, 44, (12), pp. 20–36 [5] Vizimuller, P.: RF design guide-systems, circuits, and equations (ArtechHouse, Boston, MA, 1995)[6]R. Dye, “Visual Object-Orientated Programming,” Dr. Dobbs MacintoshJournal, Sept. 1st ( 1991). http://www.fxdzw.com/dzjs.asp

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PIC8位單片機(jī)的基本組成PIC系列8位單片機(jī)為適應(yīng)各種不同的用途,有多種型號可供選用。但是,盡管PIC單片機(jī)有不同的檔次和型號,但其最基本的組成則大同小異。因此,在這里先從型號PIC16F84的單片機(jī)入手,討論其基本組成。PIC16F84是雙列直插式(DIP)塑料封裝,最大時鐘頻率可達(dá)4MHz。現(xiàn)為Microchip公司的獨(dú)家產(chǎn)品,關(guān)于其具體技術(shù)指標(biāo),可查閱該公司的產(chǎn)品手冊,或在網(wǎng)址www.microchip.com上查找。 PIC16F84單片機(jī)的引腳排列可參閱本期本版的16F8X系列簡介一文。本文的附圖是該器件的主要組成部分。PIC16F84雖然體積不大,但仍然是一個完整的計算機(jī),它有一個中央處理器(CPU)、程序存儲器(ROM)、數(shù)據(jù)寄存器(RAM)和兩個輸入/輸出口(I/O口)。 和其它品種的單片機(jī)一樣,CPU是此單片機(jī)的“首腦”,它從程序存儲器中讀取和執(zhí)行指令。在取指和執(zhí)行時,還可同時對數(shù)據(jù)寄存器進(jìn)行取數(shù)(前已介紹PIC16F84采用哈佛結(jié)構(gòu))。由附圖可明顯看出,程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器各有一條總線與CPU相連。有些CPU將CPU內(nèi)部的寄存器與其外部的RAM是分開管理的,但PIC單片機(jī)不是這樣,它的通用數(shù)據(jù)RAM也歸為寄存器,稱為File寄存器。在PC16F84中,有68個字節(jié)的通用RAM,其地址為0CH~4FH。 除了通用數(shù)據(jù)寄存器外,還有一些專用寄存器,其中最常用的工作寄存器為“W寄存器”。CPU將工作數(shù)據(jù)存放在W寄存器中。寄存器W的作用與其它單片機(jī)中的“累加器A”相似。此外,還有幾個專用寄存器,它們分別以某種方式控制PIC的運(yùn)作。 PIC16F84的程序存儲器是由Flash(閃速)EPROM構(gòu)成,它可用電來記錄和擦除,而在斷電時,仍可保留其內(nèi)容。PIC單片機(jī)有些型號的程序存儲器用的是EPROM,需要用紫外線來擦除;還有一些型號是一次性可編程(OTP)的產(chǎn)品(一經(jīng)編程便不能再擦除)。 PIC16F84有兩個輸入/輸出口,即A口和B口。每個口的每個引腳可單獨(dú)設(shè)定為輸入或輸出。各個口的位是從0開始編號的。當(dāng)A口為輸出方式時,其第4位(即RA4)為開路集電極(或開路漏極)輸出,而B口及A口其它各位為常規(guī)的全CMOS驅(qū)動電路。這些功能必須注意,否則會在編程時出錯。CPU對每個端口都按一個字節(jié)8位來處理,但A口只有5位引腳。 PIC輸入與COMS兼容,所以PIC輸出可驅(qū)動TTL或CMOS邏輯芯片。每個輸出引腳可以流出或吸入20mA電流,即使一次只用了一個引腳亦是如此。摘 要:在介紹空調(diào)室內(nèi)機(jī)控制器功能的基礎(chǔ)上,從軟件的規(guī)劃著手,詳細(xì)介紹了室內(nèi)機(jī)軟件的總體設(shè)計過程、詳細(xì)設(shè)計過程以及編碼的實(shí)現(xiàn),并在此基礎(chǔ)上重點(diǎn)給出了空調(diào)室內(nèi)機(jī)運(yùn)行模式的特點(diǎn)和結(jié)合這些特點(diǎn)如何用MPLAB集成開發(fā)環(huán)境去實(shí)現(xiàn)各運(yùn)行模式。 關(guān)鍵詞:空調(diào);控制器;單片機(jī);軟件設(shè)計 單片機(jī)軟件實(shí)現(xiàn)是單片機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用的重點(diǎn),他是在硬件設(shè)計基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)程序設(shè)計的重要環(huán)節(jié)。單片機(jī)程序設(shè)計一般包括以下幾個步驟:軟件規(guī)劃、流程圖編制、代碼編寫。由于單片機(jī)系統(tǒng)具有軟硬件緊密結(jié)合的特點(diǎn),因此在基于某種單片機(jī)系統(tǒng)的軟件開發(fā)時,應(yīng)充分了解該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的硬件環(huán)境,同時也應(yīng)該在系統(tǒng)設(shè)計與硬件設(shè)計階段,對軟件設(shè)計有一個大體的規(guī)劃。因此,本文在介紹室內(nèi)機(jī)控制器功能的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)討論如何用軟件實(shí)現(xiàn)該室內(nèi)機(jī)的功能。一:PIC16C71的問題和對策問題1:在芯片進(jìn)入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后,其振蕩腳將處于浮態(tài),這將使芯片的睡眠功耗上升,比原手冊中的指標(biāo)高了10μA以上。對策:在振蕩腳OSC1和地 (GND)之間加一10MΩ電阻可防止OSC1進(jìn)入浮態(tài),且不會影響正常振蕩。問題2:RA口方向寄存器TRISA目前只是一個4位寄存器,對應(yīng)于RA0~RA3,并非手冊中所言是8位寄存器,對應(yīng)于RA0~RA4,即RA4并沒有相應(yīng)的輸入/輸出方向控制位,它是一個具有開極輸出,施密特輸入I/O腳。對策:避免使用對RA口進(jìn)行讀-修改-寫指令(如BCF RA, BSF RA),以免非意愿地改變RA4的輸入/輸出狀態(tài)。對于RA口的操作應(yīng)采用寄存器的操作方式(MOVWF RA)。問題3:當(dāng)CPU 正在執(zhí)行一條對INTCON寄存器進(jìn)行讀-修改-寫指令時,如果發(fā)生中斷請求,則讀中斷例程會被執(zhí)行二次。這是因為當(dāng)中斷請求發(fā)生后INTCON寄存器中的GIE位會被硬件自動清零(屏蔽所有中斷),并且程序轉(zhuǎn)入中斷例程入口(0004H)。當(dāng)GIE位被清零后,如果這時正好CPU在執(zhí)行一條對 INTCON的讀-修改-寫指令(如BSF INTCON等),則 GIE位還會被寫回操作重新置1,這樣會造成CPU二次進(jìn)入中斷例程。對策:如果在程序中需對INTCON的某一中斷允許位進(jìn)行修改,則應(yīng)事先置GIE=0 ,修改完成后再恢復(fù)GIE=1。…………..BCF INTCON, GIEBSF INTCON, ×××BSF INTCON, GIE………….. 圖1 問題4:當(dāng)芯片電壓VDD加電上升時間大于100μs時,電源上電復(fù)位電路POR和電源上電延時器PWRT可能不能起正常的作用,而使芯片的復(fù)位出現(xiàn)不正常(即PC≠復(fù)位地址)。一般在這種情況下建議不要采用PWRT。對策:如果VDD上升時間很長,此芯片一般需較長的電源上電延時,可靠的電源上電延時方法如圖1所示,在MCLR端外接復(fù)位電路。問題5:如果在A/D轉(zhuǎn)換中用RA3作為參考電壓輸入,則最大滿量程誤差(NFS)要大于手冊中的指標(biāo)。實(shí)際情況如表1所示。表1 A/D滿量程誤差表 VREF源 (5.12V) 滿量程誤差 (NFS) VDD <±1 LSb RA3 <±2.5 LSb 二:PIC16C84的問題和對策問題1:PIC16C84的內(nèi)部的E2PROM數(shù)據(jù)存儲器的E/W周期偶爾會超出最大值(10ms)。對策:在程序中應(yīng)該用EECON1寄存器中的WR位來判斷寫周期的完成,或是啟用“寫周期完成中斷”功能,這兩種方法可保證寫入完成。問題2:VDD和振蕩頻率的關(guān)系如表2所示。VDD 振蕩方式 最高頻率 2V-3V RC, LP 2MHZ,200MHZ 3V-6V RC,XT,LP 4MHZ,200MHZ 4.5V-5.5V HS 10MHZ
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