trfc，兩條內存不兼容進不了系統bios里trfc一行里不一樣其它好像都一

來源：整理時間：2024-03-01 04:36:22 編輯：好學習手機版

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1，兩條內存不兼容進不了系統bios里trfc一行里不一樣其它好像都一
2，前列腺炎治療方法trfc
3，內存tRFC設置多少合適頻率為1333時序88822
4，我的電腦開機出現SPD is missing Trc or Trfc info press DEL to resume
5，CPUZ檢測內存出現的 tRFC 是什么意思
6，內存單元為什么只能保存最后一次的值

1，兩條內存不兼容進不了系統bios里trfc一行里不一樣其它好像都一

先看看是不是同頻率的內存條，或者是不同廠家的也會造成不兼容

兩條內存不兼容進不了系統bios里trfc一行里不一樣其它好像都一

2，前列腺炎治療方法trfc

22衛生習慣上經常生活在潮濕陰冷環境中，不活動長期坐位都可引起前列腺充血，引發無菌性前列腺炎。　　必靜必清，無勞汝形，無搖汝精，乃可以長生。fn【前r列e舒v安g草d藥k組*合】

前列腺炎治療方法trfc

3，內存tRFC設置多少合適頻率為1333時序88822

用CPU-Z看你的行周期時間TRC是多少，然后乘以你按了幾條內存。2條就是44,4條就是88。TRFC是總尋址時間，如果過低會造成內存尋址時間不足，影響內存性能，祝你好運。僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

內存tRFC設置多少合適頻率為1333時序88822

4，我的電腦開機出現SPD is missing Trc or Trfc info press DEL to resume

找張系統盤，重新做個系統，如果坐不上的話，你可以把硬盤利用系統盤里的DM重新分一下區，可能是系統文件丟失了，導致出現上面的一些問題，你也可以先用PM分區，如果不可以的話，再用DM分，就可以解決了！

還說你的組裝的電腦沒毛病呢？這不是？？？？？

你把cmos清0下試試

5，CPUZ檢測內存出現的 tRFC 是什么意思

tRFC的周期52個周期,這個正常，DDRIII的tRFC最高達120cpu-z檢測5-5-5-18是內存spd里的信息設置可以進到bios里，選memory setup

用CPU-Z看你的行周期時間TRC是多少，然后乘以你按了幾條內存。2條就是trc*2,4條就是trc*4。TRFC是總尋址時間，如果過低會造成內存尋址時間不足，影響內存性能，祝你好運。僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

6，內存單元為什么只能保存最后一次的值

內存不是用來存儲的，是用來計算的。就相當于算盤珠代表的數字，在運算過程中只代表當前，停下來就代表最后一個數字。

才需要將此參數調長。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，3：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有;Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現詳細的時序參數列表.5，00，01，14，15：tRCD、RAS to CAS Delay。該參數對內存性能的影響最大。該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為，3、寫或刷新操作時。 Command Per Clock(CPC。這個參數要根據實際情況而定，2。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3：Auto，Enable(1T)，1.5，5，6，系統將處于最穩定的狀態，2，04，05，0，4、CAS Timing Delay).5。該值為4時：Automatic Configuration、DRAM Auto。這個3就是第1個參數，即CL參數。 CAS Latency Control(也被描述為tCL，應該試著提高CAS延遲、CL、CAS Latency Time。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩定性，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鐘周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發生內存錯誤或系統死機，則應該增大tRAS的值。如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。Row Precharge Timing(tRP) 可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。 tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。Row Cycle Time(tRC) 可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鐘周期數。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鐘周期。Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是內存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鐘周期。Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。 Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。于桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數，4超頻內存時能達到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩定運行在00-260MHz。Write Recovery Time(tWR) 可選的設置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預充電發生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發生了預充電操作，會導致數據的丟失及損壞。如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。Write to Read Delay(tWTR) 可選的設置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。 tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得內存芯片運行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模塊運行于比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩定，則改為2。Refresh Period(tREF) 可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”