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1，光刻中什么i線和g線

指的是波長(zhǎng)，i線是指365nm，g線是指436nm，高壓汞燈中能量最高的兩個(gè)譜線。波長(zhǎng)越短，光刻分辨率越高。

任務(wù)占坑

光刻中什么i線和g線

2，光刻技術(shù)

一種將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的圖形復(fù)制技術(shù)，光刻得到的圖形一般作為后續(xù)工藝的掩膜。（光致刻蝕劑）是由高分子聚合物、增感劑、溶劑以及其他添加劑組成的混合物，在一定波長(zhǎng)的光照射下，高分子聚合物的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變。正膠顯影液：堿金屬水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH 負(fù)膠顯影液：有機(jī)溶劑，如二甲苯等氧化層上的正膠：硫酸：雙氧水=3:1 金屬上的正膠：有機(jī)溶劑，如丙酮氧化層上的負(fù)膠：硫酸：雙氧水=3:1 金屬上的負(fù)膠：氯化物溶劑變性的光刻膠（如作為注入或刻蝕掩膜的光刻膠層）：氧等離子體 0.粘附性處理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中，增加光刻膠與硅片的粘附強(qiáng)度 1.勻膠：硅片真空吸附在離心式勻膠機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)，把滴在硅片表面的光刻膠涂覆均勻 2.前烘：加熱蒸發(fā)光刻膠部分溶劑，使光刻膠層初步固化 3.對(duì)準(zhǔn)和曝光：轉(zhuǎn)移圖形 4.顯影：把硅片放在顯影液中溶解去掉正膠光照部分或者負(fù)膠非光照部分 5.后烘：加熱硅片使光刻膠中的溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)，提高掩膜效果

光刻技術(shù)

3，光刻技術(shù)的種類及介紹

你可以參看這些資料http://baike.baidu.com/view/359979.htm?fr=ala0_1http://baike.baidu.com/view/1117847.htm

我不會(huì)~~~但還是要微笑~~~：）

光刻技術(shù)的種類及介紹

4，光刻技術(shù)的原理是什么

概述RDJ-I正型光刻膠是液晶顯示器用正性光刻膠，可同時(shí)適用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等優(yōu)點(diǎn)。RDJ-I正型光刻膠采用環(huán)保溶劑。RDJ-I正型光刻膠一般規(guī)格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用時(shí)可根據(jù)需要稀釋成不同固含量和粘度。技術(shù)指標(biāo)如下表：顏色磚紅色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(熱板)曝光 60-100mj/cm2顯影 0.8% KOHx60sec后烤熱板120℃×120sec蝕刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剝離 4%NaOH@50℃×120sec貯存期限（25℃以下暗處貯存） 6個(gè)月操作工藝參數(shù)：1．涂布：23℃，輥涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(熱板)，烤道100℃3—5分鐘；3．曝光：90mj/cm2；4．顯影：23℃，0.4% NaOH，1min，噴淋或浸漬；5．后烤：熱板120℃×120sec，烤120℃,3-5分鐘；6．蝕刻：45℃，F(xiàn)eCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剝離：23℃ 4-6% NaOH

5，光刻機(jī)的介紹

光刻機(jī)/紫外曝光機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻）意思是用光來制作一個(gè)圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過程。

相信自己的判斷吧再看看別人怎么說的。

6，光刻機(jī)中國(guó)能造嗎

暫時(shí)不能光刻機(jī)不是一項(xiàng)單一的技術(shù)，而是現(xiàn)代各項(xiàng)高科技技術(shù)的集成，成品背后需要無數(shù)的產(chǎn)業(yè)鏈支持，以中國(guó)現(xiàn)在的科技水平暫時(shí)還不能造出。當(dāng)中國(guó)專家去荷蘭阿斯麥爾公司參觀光刻機(jī)的時(shí)候，阿斯麥爾的高管直接對(duì)中國(guó)的專家說：就算給你全套圖紙，你們中國(guó)也造不出光刻機(jī)。很多中國(guó)人聽到這句話都非常的氣憤，憑什么中國(guó)就造不出光刻機(jī)？近年來關(guān)于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)彎道超車的新聞?lì)l繁在各類媒體中出現(xiàn)，國(guó)人想要在光刻機(jī)技術(shù)上超越歐美發(fā)達(dá)國(guó)家的愛國(guó)情懷可以理解，但部分媒體為了博取眼球?qū)?guó)產(chǎn)光刻機(jī)過分的吹捧，不尊重事實(shí)的報(bào)道對(duì)普通大眾而言其實(shí)是一件特別不負(fù)責(zé)任的事情。理想很豐滿，現(xiàn)實(shí)很骨感，以中國(guó)現(xiàn)在的科技水平確實(shí)造不出光刻機(jī)，光刻機(jī)不是一項(xiàng)單一的技術(shù)，而是現(xiàn)代各項(xiàng)高科技技術(shù)的集成，光刻機(jī)的內(nèi)部十分復(fù)雜，可以說是人類知識(shí)集大成的產(chǎn)物之一，光刻機(jī)就像手機(jī)和汽車一樣，是由無數(shù)的零配件組裝合成的，最終實(shí)現(xiàn)某種功能，成品背后需要無數(shù)的產(chǎn)業(yè)鏈支持，各式各樣的零配件都是行業(yè)內(nèi)頂級(jí)的技術(shù)體現(xiàn)，沒有長(zhǎng)時(shí)間的深耕運(yùn)作，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)在單一的某項(xiàng)技術(shù)上實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先是沒問題的，但是想要在整體上實(shí)現(xiàn)彎道超車，基本上不現(xiàn)實(shí)。舉個(gè)例子：比如馬拉松長(zhǎng)跑比賽，第二名與第一名的差距相差3公里，在某一個(gè)時(shí)間段，第二名選手的速度超過了第一名選手，這僅僅代表著第二名選手最終有超越第一名選手的可能，但是3公里路程的巨大差距卻不是一時(shí)半會(huì)可以趕上的，想要超越，時(shí)間跨度將非常大，因?yàn)槟阍谂ο蚯芭艿耐瑫r(shí)對(duì)手也在努力向前跑。荷蘭阿斯麥爾之所以能夠壟斷全球最頂尖的光刻機(jī)市場(chǎng)，不是因?yàn)楹商m人聰明，單純靠荷蘭人也研發(fā)不出光刻機(jī)，光刻機(jī)的研發(fā)集合了全球優(yōu)勢(shì)資源加上半導(dǎo)體幾十年的技術(shù)積累，最終在數(shù)以萬計(jì)的專業(yè)的頂尖研發(fā)人員不斷技術(shù)突破下才成功，荷蘭的幸運(yùn)在于目前只有荷蘭掌握光刻機(jī)最核心的技術(shù)“侵入式光刻技術(shù)”，所以現(xiàn)在頂級(jí)光刻機(jī)只有荷蘭有能力生產(chǎn)。技術(shù)是研發(fā)的外在體現(xiàn)，任何技術(shù)的突破都是厚積薄發(fā)的結(jié)果，光刻機(jī)需要的技術(shù)方向特別多，比如機(jī)械化層面，自動(dòng)化層面，系統(tǒng)科學(xué)層面等一大堆方向都需要有人去攻關(guān)，有些地方是知道技術(shù)壁壘的，但是如何突破技術(shù)壁壘還沒有頭緒，有些地方連技術(shù)壁壘在什么地方都沒找到，更別談技術(shù)突破了，而且任何一項(xiàng)技術(shù)的突破都需要長(zhǎng)年累月技術(shù)投入，資金投入，人員投入。技術(shù)積累并不是錢能夠解決的，目前國(guó)內(nèi)在光刻機(jī)領(lǐng)域做得比較好的是上海微電子裝備和中科院的某個(gè)研究所，它們目前還停留在90nm研發(fā)產(chǎn)品階段，而荷蘭阿斯麥爾7nm的光刻機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，當(dāng)然這并不代表國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)沒有超越的機(jī)會(huì)，目前國(guó)內(nèi)對(duì)光刻機(jī)的重視程度越來越高，大量的資金和頂尖的人才都在光刻機(jī)領(lǐng)域深耕研究。國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)其實(shí)只要在某些關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，就算得上是彎道超車了，就好比荷蘭阿斯麥爾在光刻機(jī)“侵入式光刻技術(shù)”上領(lǐng)先全球一樣，沒有這項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)，就無法制造更頂級(jí)的光刻機(jī)，所以目前只有荷蘭才有資格制造頂級(jí)光刻機(jī)。

7，光刻機(jī)和刻蝕機(jī)的區(qū)別

刻蝕相對(duì)光刻要容易。光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂滿光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對(duì)晶圓進(jìn)行一定時(shí)間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質(zhì)，易于腐蝕。“刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質(zhì)的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導(dǎo)體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對(duì)晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。擴(kuò)展資料：光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便性分為三種，手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)1.手動(dòng)：指的是對(duì)準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)精度可想而知不高了；2.半自動(dòng)：指的是對(duì)準(zhǔn)可以通過電動(dòng)軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧；3.自動(dòng)：指的是從基板的上載下載，曝光時(shí)長(zhǎng)和循環(huán)都是通過程序控制，自動(dòng)光刻機(jī)主要是滿足工廠對(duì)于處理量的需要。參考資料：搜狗百科-光刻機(jī)，搜狗百科-刻蝕

我打個(gè)比方吧，光刻相當(dāng)于制作模板，刻蝕相當(dāng)于按照模板去刻印東西。光刻指的是將光刻膠鋪在光刻板上，然后對(duì)著光刻板用某種光線（紫外光、紅外光等）有選擇性的去照射光刻膠，光刻膠有正性光刻膠和負(fù)性光刻膠兩種。刻蝕是指將已經(jīng)光刻后的光刻膠+光刻板用溶液沖洗，如果是正性光刻膠，被光照射的部分則會(huì)被清洗掉，如果是負(fù)性光刻膠，未被光照射的地方則會(huì)被清洗掉，清洗完就會(huì)出現(xiàn)想要的形狀

刻蝕相對(duì)光刻要容易。光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分

光刻機(jī)和刻蝕機(jī)的區(qū)別主要表現(xiàn)為3各個(gè)方面：一、難易度：光刻機(jī)難度大，刻蝕機(jī)難度小二、原理：光刻機(jī)把圖案印上去，刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案/無圖的部分，留下剩余的部分。三、工藝操作不同（1）、光刻機(jī)：利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將掩膜版上的電路圖形傳遞到單晶的表面或介質(zhì)層上，形成有效的圖形窗口或功能圖形。由于在晶圓的表面上，電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻工藝也是芯片制造中最核心的環(huán)節(jié)。（2）、刻蝕機(jī)：用化學(xué)和物理方法，在經(jīng)顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除硅片上不需要的材料。刻蝕工藝的方法有兩大類，濕法蝕刻和干法蝕刻。擴(kuò)展資料：光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。等離子刻蝕機(jī)，又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場(chǎng)加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。參考資料：搜狗百科-等離子蝕刻機(jī)搜狗百科-光刻機(jī)